【中科院上海微体系所：双向高导热石墨膜研讨获打破 为5G芯片、功率半导体热办理供给技能支撑】财联社6月23日电，近来，中国科学院上海微体系所联合宁波大学研讨团队在《Advanced Functional Materials》宣布研讨，提出以芳纶膜为前驱体经过高温石墨化工艺制备低缺点、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度到达40微米的情况下完成面内热导率Kin到达1754 W/mK，面外热导率Kout打破14.2 W/mK。与传统导热膜比较，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺点操控上均表现出明显优势。在智能手机散热模仿中，搭载双向高导热石墨膜的芯片外表最高温度从52 ℃降至45 ℃；在2000 W/cm暖流密度的高功率芯片散热中，AGFs使芯片外表温差从50 ℃降至9 ℃，完成快速温度均匀化。该研讨提醒了芳纶前驱体在石墨膜制备中的共同优势，证明了氮掺杂与低氧含量前驱体可提高石墨膜结晶质量和双向导热特性，其双向导热功能打破可为5G芯片、功率半导体等高功率器材热办理供给要害资料和技能支撑。