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ASML高管一语中的中国光刻机再获突破固态光源技术很优秀

时间: 2025-04-07 17:04:54 |   作者: 竞彩体育篮球

ASML的前首席执行官温宁克曾经表述过这样一种观点:“中国人极为聪慧,针对中

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ASML高管一语中的中国光刻机再获突破固态光源技术很优秀

  ASML的前首席执行官温宁克曾经表述过这样一种观点:“中国人极为聪慧,针对中国施行的技术封锁会致使西方企业难以持续经营下去。”

  有人觉得,温宁克是在讨好中国人,他这么做的意图是在于让产品得到中国市场的垂青,进而赚取更多的利润。

  还有人觉得,温宁克正在向西方国家发出警告,过度的封锁只会事与愿违,解除限制才是正确的举措。

  当然,也有一些人指出,温宁克称中国人非常聪明,这就如同“中国人发明了火药,结果却仅仅用于放鞭炮”一般,其弦外之音在于中国人虽聪慧,但却不晓得怎样运用自己的聪明才智。

  3月25日,中国科学院对外发布了全固态深紫外(DUV)激光技术相关成果,其能够稳定输出波长为193nm的相干光,从理论层面来讲,这一成果可助力半导体制造工艺拓展至3nm节点。

  在芯片制造领域,193nm激光有着极为关键的意义,其属于干式深紫外(DUV)光刻机以及浸润式深紫外(DUV)光刻机的核心技术范畴之一。

  它能够光刻出7纳米至65纳米这一区间的芯片,此类芯片有着极为广泛的应用场景范围,智能手机系统级芯片(SoC)、人工智能(AI)芯片、军工芯片、汽车芯片、工业控制(工控)芯片等都涵盖在内,其市场占有率达到70%。

  ASML的DUV光刻机大多运用氟化氩(ArF)准分子激光技术,该技术有气体消耗量多、系统繁杂、维护成本高等不足之处。

  中科院的固态深紫外(DUV)激光技术不依赖稀有气体。该技术凭借自主研制的Yb:YAG晶体放大器产生1030纳米的激光,然后历经四次谐波转换以及光学参量放大等环节,最终得到193纳米的相干光。

  乍一看,这仅仅是一个细微的变动,仅仅是将“气态”换成了“固态”,可实际上全然不是这样,它引发的改变是一种连锁反应。

  固态DUV激光在各项参数与光谱纯度方面具有更高的水平,其使用效能相较于气态(ArF)DUV激光更出色,在输出功率与频率得到提升之后,能够被用于7nm、5nm芯片的制造。

  这表明,在不远的未来我们也可以凭借国产深紫外(DUV)光刻机来制造5纳米芯片。

  其次,若将固态激光技术应用于EUV领域,会产生何种变化呢?或许能制造出更为先进的芯片,说不定到当时局势就会发生逆转了。

  更为重要的是,固态激光技术属于全新的技术,能够完全避开美国专利,构建我们自身的专利群。

  往后,国产半导体设备在发展进程中不会被专利所限制,其发展速率会促进加快,产业链也会变得更加完善。

  中科院的全固态DUV激光技术已引发了一定的改变。当然了,中科院还得持续对这项技术加以优化,提高其输出功率与频率,进而达到商业化芯片制造的要求。

  这一问题是关于ASML在未来将具备何种程度的价值的。这是一个充满诸多变数的考量,因为ASML在半导体制造设备领域占据着极为关键的地位。其价值的多寡会受到众多因素的影响,像是技术的持续发展进程、全球半导体市场的需求波动、竞争态势的演变以及有关政策的调整等。

  当下,ASML依旧是全球光刻机领域的头号企业,其在全球的市场占有率在80%以上,中高端的DUV光刻机所占份额达90%以上,最为尖端的EUV光刻机的份额更是达到了100%。

  全球的先进芯片大多是由ASML的设备来制造的,像苹果仿生、高通骁龙、华为麒麟、联发科天玑、英伟达H100等芯片都是如此。

  能够这么讲,要是ASML不供应光刻机的话,全球的芯片制造业就会直接陷入瘫痪状态。

  那么,这家源于荷兰的光刻机制造商是否掌控着全球芯片的命脉呢?事实并非如此!

  在上世纪90年代期间,ASML不过是一家没什么名气的小公司,彼时的日本尼康才是光刻机领域的领军者。

  在攻克157nm光源技术之际,出现了奇妙的状况。日本尼康投入大量资金钻研干式技术,台积电的工程师林本坚提出了浸润式技术,不过尼康拒绝了该方案。

  在2003年的时候,ASML和台积电共同推出了第一台浸润式光刻机,到了次年,它们又推出了改良版本,其波长为132nm,以此来实现了对尼康的逆袭。

  之后,ASML参与到由美国主导的EUV联盟之中,得到了EUV技术,且于2013年顺利研制出EUV光刻机。

  当下,台积电与三星凭借ASML(阿斯麦)的EUV(极紫外)光刻机,把芯片技术更新到了3纳米。

  然而,ASML在获取EUV技术之际,同样签订了“卖身契”。ASML的光刻机有一半的零部件是从美国企业获取的,即便它收购了掌握光源技术的cymer公司,却依旧受到美国的限制。

  在中国这个巨大的市场面前,ASML跃跃欲试,始终企图将先进的EUV光刻机售往中国市场,然而这一想法被美国否决了。

  美、日、荷三国居然达成了一个所谓的芯片联盟,相继推出半导体设备限制出口的政策,这一政策所针对的范围,不只是EUV光刻机,就连浸润式DUV光刻也包含其中。

  ASML在中国市场的销售额出现了下滑态势,这使得公司业绩开始走下坡路。更为关键的是,这种打压和限制反而刺激了中国的研发动力。

  科研机构、高校以及企业达到了前所未有的团结程度,政策给予的支持力度极其强大,研发资金十分雄厚,甚至海外的人才也都陆续回国效力,中国在光刻机这一领域实现了快速的发展。

  中科院在全固态DUV激光技术方面取得了突破,哈工大运用核聚变的“Z箍缩技术”来制造极紫外光源,中科院长春光机所在EUV镜片领域达成了突破。

  中国芯片在技术上每取得一步进展,就朝着逆袭和超越的目标更近了一些,与此同时,这也让ASML坐立不安。

  现今,ASML的高层对中国人的智慧给予了高度的赞誉,并且大胆地作出预测:西方国家针对中国施行技术封锁将会产生事与愿违的结果。这种封锁不但无法对中国的发展形成阻碍,反而会将中国制造的潜力激发出来。

  中国光刻机技术此次取得的突破,正如ASML高管所预言的那般,中国芯片的自主研发已步入深水区,各类技术与专利研发正快速的提升,最终将会摆脱被“卡脖子”的状况,实现逆袭与超越。

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